場效應(yīng)管的基本知識
定義
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管。它由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成，沒有二次擊穿現(xiàn)象、平安工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。在開關(guān)電源中常用的是金屬—氧化物—半導體場效應(yīng)管MOSFET（MetalOxide Semicoductor Field Effect Tran-sistor），它是由金屬、氧化物（Sio2或SiN)半導體三種資料制成的，是應(yīng)用電壓控制電流以完成放大作用的半導體器件。
2．功用
①場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管的放大器的輸入電阻很高，所以其耦合電容的容量能夠較小：不用運用電解電容。
② 場效應(yīng)管能夠用做電子開關(guān)。
③場效應(yīng)管的輸入阻抗很高，因而它十分合適用于阻抗變換。它常用在多級放大器的輸入級停止阻抗變換。
④場效應(yīng)管能夠用做可變電阻。
⑤場效應(yīng)管能夠便當?shù)赜米龊懔髟础?/div>
3.場效應(yīng)管的分類
場效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管則因柵極與其他電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用最為普遍的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬—氧化物—半導體場效應(yīng)管，MOSFET）；此外還有PMOS，NMOS和UMOS功率場效應(yīng)管，以及最近剛問世的，πMOS場效應(yīng)管等。按溝道半導體資料的不同，結(jié)型和絕緣柵型場效應(yīng)管各分為N溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，MOS柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管和Mos場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強型，P溝耗盡型和加強型四大類。
4．主要參數(shù)
1)直流參數(shù)
開啟電壓UT：是指加強型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。
夾斷電壓uGS（Off，（也能夠用UP）：是指加強型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。
飽和漏極電流IDss：指耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管在UGS=o時的漏極電流。
輸入電阻RDS(DC)：因iG=0，所以輸入電阻很大。JPET的輸入電阻大于107Ω，MOSFET的輸入電阻大于1012Ω。
2)交流參數(shù) 低頻跨導（互導）gm：反映了柵源電壓對漏極電流的控制才能，且與工作點有關(guān)，是轉(zhuǎn)移特性曲線上過Q點切線的斜率。
3)極限參數(shù) 最大漏—源電壓U（BR)DS:漏極左近發(fā)作雪崩擊穿時的UDs（漏源電壓）。 最大柵—源電壓U（BR)CS:柵極與源極間PN結(jié)的反向擊穿電壓。 最大耗散功率PDM:與晶體管的PcM類似，當功率超越PDM時，場效應(yīng)管可能燒壞。
場效應(yīng)管的命名辦法
第一種命名辦法：與雙極型晶體管相同，其中第三位字母為J代表結(jié)型場效應(yīng)管，為0代表絕緣柵場效應(yīng)管；
第二位字母代表資料，其中D是P型硅，其反型層是N溝道，C是N型硅，其反型層是P溝道。例如，3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)品體管，3D06C是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)晶體管。第二種命名辦法：CS X x#，其中CS代表場效應(yīng)管，xx是以數(shù)字代表型號的序號，#是用字母代表同一型號中的不同規(guī)格，如CS14A、CS45G等。
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