MOS管由源極、漏極和柵極三個電極組成。根據(jù)柵極和溝道之間的型別不同，MOS管可分為P型MOS管和N型MOS管，PMOS管中的溝道為P型溝道，而NMOS管中的溝道為N型溝道。
工作原理
N溝道MOS管是以N型溝道為主導的場效應晶體管。當電壓施加到門極時，形成的電場使得N型溝道區(qū)域?qū)щ?。電子在N溝道中的流動形成電流，從而控制器件的導電能力。
P溝道MOS管則是以P型溝道為主導的場效應晶體管。當電壓施加到門極時，形成的電場使得P型溝道區(qū)域?qū)щ姟］d流子的流動決定了P溝道MOS管的導電能力。
結(jié)構(gòu)差異
N溝道MOS管的結(jié)構(gòu)中，晶體管的基底為P型硅，而門電極是通過氧化層與基底電隔離的。N型溝道位于P型基底上方，形成N溝道-P型基底的結(jié)構(gòu)。
P溝道MOS管的結(jié)構(gòu)中，晶體管的基底為N型硅，門電極同樣通過氧化層與基底電隔離。P型溝道位于N型基底上方，形成P溝道-N型基底的結(jié)構(gòu)。
mos管n溝道和p溝道工作原理圖
P溝道的源極S接輸入，漏極D導通輸出，N溝道相反；簡單來說給箭頭方向相反的電流就是導通，方向相同就是截止。
僅含有一個P--N結(jié)的二極管工作過程，如下圖所示，我們知道在二極管加上正向電壓時（P端接正極，N端接負極），二極管導通，其PN結(jié)有電流通過，這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內(nèi)的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。
同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。
對于N溝道場效應管（見圖1），在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應管處于截止狀態(tài)（圖1a），當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極時（見圖1b），由于電場的作用，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來涌向柵極；
但由于氧化膜的阻擋，是的電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中（見圖1b），從而形成電流，使源極和漏極導通，我們也可以想象為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭建了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。
圖2給出了P溝道的MOS場效應管的工作過程，其工作原理類似。
1、從外形上看：
p溝道的mos管比同規(guī)格的n溝道的要粗一些；
2、從導電性能看：
p溝道和n溝道相比，前者要比后者的電阻低一些（當然這只是一個方面）。
3、從耐溫性看：
一般來說，相同規(guī)格下同等材質(zhì)的情況下（如都是硅片），p溝道的耐高溫能力要強于n型。
4、從穩(wěn)定性上比較：
由于工藝的不同導致兩者之間的差異較大；
5、從價格上分析：
由于制作工藝不同、原材料的不同以及成本等因素的影響使得兩者的價格相差很大。
特性區(qū)別：
1、開關(guān)特性
N溝道MOS管在開關(guān)特性上表現(xiàn)得更好。它們的開啟和關(guān)閉速度快，具有較低的導通電阻和較高的導通電流。這使得N溝道MOS管廣泛應用于高頻率和大功率電路等領(lǐng)域。
P溝道MOS管在開關(guān)特性上相對較差。它們的開啟和關(guān)閉速度較慢，導通電阻較大，并且導通電流相對較小。因此，P溝道MOS管常用于低功率應用，如電源管理和集成電路等。
2、控制電壓
N溝道MOS管的控制電壓為正電壓。當門-源電壓高于某一閾值電壓時，N溝道MOS管開始導通。相對地，當門-源電壓低于閾值電壓時，N溝道MOS管處于截止狀態(tài)。
P溝道MOS管的控制電壓為負電壓。當門-源電壓低于某一閾值電壓時，P溝道MOS管開始導通。反之，當門-源電壓高于閾值電壓時，P溝道MOS管處于截止狀態(tài)。
3、噪聲特性
N溝道MOS管相對于P溝道MOS管具有較好的噪聲特性。其噪聲指標通常較低，這使得N溝道MOS管在靈敏電路和低噪聲放大器等應用中表現(xiàn)出色。
P溝道MOS管的噪聲特性相對較差，因此在噪聲要求較高的電路中不常使用。
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