MOS管它主要分為增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管兩大類。這里面，增強(qiáng)型的MOS管它又分為P溝道MOS和N溝道MOS兩種。同樣的道理，耗盡型的MOS管它也分為P溝道MOS和N溝道MOS兩種。但是在現(xiàn)實(shí)實(shí)際應(yīng)用中，我們大家通常提到的NMOS管和PMOS管都是指N溝道增強(qiáng)型的MOS管和P溝道增強(qiáng)型的MOS管。因而，今天在這里主要討論的MOS管主要就是這兩種。然而在這兩種類型的MOS管當(dāng)中，使用率最高的是NMOS管。

大概有以下幾個(gè)原因：

（1）NOS的導(dǎo)通內(nèi)阻極小，幾個(gè)毫歐級(jí)別，因而導(dǎo)通損耗非常低，發(fā)熱量很小。

（2）輸入內(nèi)阻非常高，能達(dá)到上億歐姆級(jí)別，因此幾乎不會(huì)有漏電流。

（3）它的開(kāi)關(guān)速度極快，損耗也很低，因此開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中很常見(jiàn)。

（4）導(dǎo)通后載電流電流能力很強(qiáng)。

（5）和PMOS相比較，價(jià)格更加實(shí)惠。

因?yàn)橹圃旃に嚨南拗圃颍琈OS管它的三個(gè)腳之間都有存在寄生電容，這是我們改變不了的事實(shí)。因而，我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)的時(shí)候，就必須考慮這些影響。下圖就展示了NMOS管和PMOS管的差異性。

MOS的特性：

PMOS管的開(kāi)關(guān)電路

如下圖右面，PMOS管它的特性是，規(guī)格書(shū)必寫(xiě)，Vgs(th)這個(gè)值，也就是當(dāng)PMOS的柵極與源極之間的電壓（Vgs）小于它的設(shè)計(jì)值時(shí)，就會(huì)導(dǎo)通。由于特性使得PMOS管它一般適合用于源極接電源正極（VCC）的情況，比如我們?cè)诟哌咈?qū)動(dòng)電路中使用，只需要將MOS拉低就可以打開(kāi)。而你用NMOS的話，還要再加一個(gè)高壓才能打開(kāi)NMOS。這里大家需要注意的是，Vgs電壓是指柵極與源極之間的壓差，意思就是達(dá)到設(shè)計(jì)值，PMOS管就會(huì)導(dǎo)通。但是，因?yàn)镻MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻和NMOS相比非常大，大電流的話，發(fā)熱很恐怖，因而它主要應(yīng)用在低功率的電路中。當(dāng)要大功率的電路時(shí)，我們通常會(huì)選用N溝道MOS。

NMOS管的開(kāi)關(guān)電路

如下圖左面是NMOS,NMOS管,它的特性是當(dāng)柵極G與源極S之間的電壓（Vgs）大于Vgs(th)時(shí)，它就會(huì)導(dǎo)通。Vgs(th)這個(gè)值規(guī)格書(shū)里面必寫(xiě)。NMOS一般適合源極接GND的情況，比如在低邊驅(qū)動(dòng)電路中的使用。只要NMOS管的柵極電壓高于規(guī)格書(shū)中給的Vgs（th）這個(gè)值時(shí)，NMOS管它便會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)漏極D接電源、源極S接地的時(shí)候，我們大家要注意Vgs它是指NMOS管的柵極G與源極S之間的壓差。因而，當(dāng)NMOS作為高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)，柵極電壓需要比漏極更高的電壓才能驅(qū)動(dòng)打開(kāi)NMOS。

MOS管的電路應(yīng)用

如下圖，MOS管 導(dǎo)通要求是：柵源之間的電壓Vgs必須要大于門(mén)級(jí)電壓Vgs(th)。最好是2倍Vgs(th)，電阻R1和R2在這里的作用是幫助在MOS管柵極G和源極S之間利用 分壓形成一個(gè)的Vgs電壓，。另外，源極并不一定要接地，我們只要保證MOS管柵極G和源極S之間的壓差大于導(dǎo)通電壓，MOS管它就可以發(fā)揮它的開(kāi)關(guān)作用。

這里我們要重點(diǎn)注意：

查看芯片IO口能夠輸出的最大驅(qū)動(dòng)電流，我們知道不同芯片的IO口驅(qū)動(dòng)能力它是不太一樣的。

查看規(guī)格書(shū)了解MOS管的寄生電容。假如寄生電容的值很大的話，它會(huì)導(dǎo)致MOS導(dǎo)通所需的能量變多，如果芯片IO口的輸出電流又比較小，那么管子的導(dǎo)通速度就會(huì)慢很多，導(dǎo)致MOS進(jìn)入線性區(qū)，燒壞MOS。
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